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TriQuint推出具有卓越增益的新氮化

2019-08-15 19:20:07来源:励志吧0次阅读

  新的TriQuint 氮化镓晶体管T1G-FS

  中国 上海 - 2012年12月18 日 - 技术创新的射频解决方案领导厂商TriQuint半导体公司(纳斯达克代码:TQNT),推出四款具有卓越增益和效率,并且非常耐用的新氮化镓 (GaN) HEMT 射频功率晶体管产品。TriQuint的氮化镓晶体管可使放大器的尺寸减半,同时改进效率和增益。这些新的氮化镓晶体管可在直流至6 GHz宽广的工作频率上提供W (CW) 射频输出功率。它们是商业通信和测试设备系统等类似的宽带系统应用的理想选择。

  TriQuint新的氮化镓功率晶体管包括28V的T1G-FS,其工作频率为直流至6 GHz,提供30W的输出功率,在3.5 GHz和6 GHz频率时的效率分别为55%和44%。T1G-FL提供相同的性能,并且采用法兰封装来满足不同封装的要求。TriQuint新的32V的T1G-FS和法兰封装的T1G-FL是用于S波段及类似应用的理想选择。它们在直流至3.5 GHz工作频率下提供37W (CW) 输出功率。上述两种32V器件均在3.5 GHz和6 GHz分别提供大于16dB和10dB的增益;其附加功率效率(PAE) 在5GHz和6GHz分别为60%和49.6%。

  所有四款新的氮化镓晶体管均可承受高达10:1的驻波比(VSWR) 失配而不损害功能,同时为在高漏偏压条件下工作而优化,从而降低系统成本和散热管理成本。所有器件均可出口至大多数国家;详情请与TriQuint联系。

  技术规格 新的TriQuint 氮化镓晶体管:

  T1G-FS

  直流至6 GHz的氮化镓射频功率晶体管:30W;在3.5 GHz时, 增益为14dB;在6 GHz时,增益为10dB;漏极效率:在3.5 GHz时为55%, 在6 GHz时为44%;28V在200 mA,承受10:1 驻波比,EAR99无法兰封装。

  T1G-FL

  直流至6 GHz的氮化镓射频功率晶体管:30W;在3.5 GHz时, 增益为14dB;在6 GHz时,增益为10dB;漏极效率:在3.5 GHz时为55%, 在6 GHz时为44%;28V在200 mA,承受10:1 驻波比,EAR99法兰封装。

  T1G-FS

  直流至3.5 GHz的氮化镓射频功率晶体管:30W CW;在3.5 GHz时, 增益超过16dB;在6 GHz时,增益为10dB;附加功率效率:在5 GHz时为60%, 在6 GHz时为49.6%;32V在2.4 A,承受10:1 驻波比,EAR99无法兰封装。

  T1G-FL

  直流至3.5 GHz的氮化镓射频功率晶体管:37W CW;在3.5 GHz时, 增益超过16dB;在6 GHz时,增益为10dB;附加功率效率:在5 GHz时为60%, 在6 GHz时为49.6%;32V在2.4 A,承受10:1 驻波比,EAR99无法兰封装。

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